Skip to main content
SUPERVISOR
Hossien Ahmadvand,Mehdi Ranjbar
حسین احمدوند (استاد راهنما) مهدی رنجبر (استاد مشاور)
 
STUDENT
Fatemeh Sayyedan ghalee jozdan
فاطمه سیدان قلعه جوزدان

FACULTY - DEPARTMENT

دانشکده فیزیک
DEGREE
Master of Science (MSc)
YEAR
1396
CoPt 3 thin films due to their good magnetic properties such as perpendicular anisotropy and high coercivity, can be used in magnetic recording media with high-density data. Magnetic properties of the thin films depend on the condition of deposition such as substrate temperature. By control the condition, we can reach the desirable features. In this study, CoPt thin films was deposited by pulsed laser deposition (PLD) on PMN-PT, MgO, Al 2 O 3 , Quartz and Si substrates. The influence of parameters such as deposition temperature, film’s thickness, type of substrate and laser pulse repetition rate on the anisotropy and coercivity was investigated. Magnetic hysteresis loop of the films was measured using the magneto optical Kerr effect (MOKE). The thin films that was deposited on MgO indicated perpendicular magnetic anisotropy and significant coercivity. The maximum coercivity was found by deposition at 500 and 400 , which was equal to 4427 and 4037 Oe, respectively. Deposition on other substrates did not show perpendicular anisotropy. Also, CoPt 3 thin films on Si substrate shows metal-insulator transition, which may be due to the diffusion of Co and Pt in Si substrate and formation of a tri-metallic compound. In this study, anomalous Hall effect (AHE) was also measured for the thin film samples. The maximum anomalous Hall resistance of the samples was found to be about 1 .cm for film deposited on MgO at 400 and with the laser pulse repetition of 10 Hz. According to the structural studies, high Hall resistance of these samples is probably due to the formation of Co clusters in the matrix of Platinum atoms. Films with L1 2 tructure exhibited lower anomalous Hall resistance.
لایه های نازک CoPt 3 با توجه به ویژگی های مغناطیسی مانند ناهمسانگردی عمودی و میدان وادارندگی بالا، می توانند در ضبط مغناطیسی داده ها با چگالی بالا مورد استفاده قرار گیرند. ویژگی های این لایه ها به شرایط ساخت و زیرلایه ی مورد استفاده بستگی دارد و با کنترل این موارد، می توان به ویژگی های مطلوب رسید. در این پژوهش، این لایه ها با استفاده از روش لایه نشانی لیزرپالسی بر روی زیرلایه های PMN-PT، MgO، Al 2 O 3 ، Quartz و Si لایه نشانی شدند و تاثیر عواملی هم چون دمای لایه نشانی، ضخامت، نوع زیرلایه و نرخ تکرار پالس لیزر بر ناهمسانگردی و میدان وادارندگی آن ها بررسی شد. حلقه ی پسماند این لایه های مغناطیسی با استفاده از اثر مغناطواپتیکی کر اندازه گیری شد. نمونه هایی که بر روی زیرلایه ی MgO رشد کرده بودند، ناهمسانگردی مغناطیسی عمودی نشان دادند و میدان وادارندگی این نمونه ها قابل توجه بود. بیشترین میدان وادارندگی لایه های ساخته شده در این پژوهش مربوط به لایه نشانی در دماهای °C 500 و°C 400 بر روی همین زیرلایه بود که به ترتیب برابر با Oe 4427 و Oe 4037 به دست آمد. لایه نشانی بر روی زیرلایه های دیگر، ناهمسانگردی عمودی و میدان وادارندگی بزرگی نشان نداد. هم چنین دمای بالای لایه نشانی در لایه های CoPt 3 /Si باعث نفوذ زیرلایه به ساختار لایه و تشکیل ترکیبی با خواص الکتریکی مشابه با آلیاژهای هویسلر شد. در این پژوهش، اثر هال غیرعادی نیز برای این نمونه ها اندازه گیری شد. بیشترین میزان مقاومت هال غیرعادی برابر با 1 برای نمونه ای که بر روی زیرلایه ی MgO، در دمای°C 400 و با نرخ تکرار پالس لیزر Hz 10 رشد کرده بود، به دست آمد. با توجه به بررسی های ساختاری، مقاومت الکتریکی بالای این نمونه احتمالا به دلیل تشکیل خوشه های کبالت در میان اتم های پلاتین می باشد. نمونه هایی که ساختار L1 2 در آن ها شکل گرفته بود، مقاومت هال غیرعادی کمتری نشان دادند.

ارتقاء امنیت وب با وف بومی