Skip to main content
SUPERVISOR
Rasoul Dehghani
رسول دهقانی (استاد راهنما)
 
STUDENT
Nima Shahpari
نیما شاه پری

FACULTY - DEPARTMENT

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
DEGREE
Master of Science (MSc)
YEAR
1390
In this thesis some different techniques, which are usually used to achieve a constant input transconductance in terms of the input common-mode voltage variation in an op-amp are studied. A new method is introduced in order to keep the input transconductance constant against input common-mode voltage, process, and temperature variations. The design works properly regardless of the operating regions of the MOS devices used in the input differential pair (i.e., saturation or subthreshold). Furthermore, simulation results show that the input transconductance does not change appreciably with the length of these devices. These all prove that the presented method acts independent of the special drain current equation of the input devices that is generally depends on different device parameters such as channel length and gate oxide thickness. All designs are simulated in a 0.18µm standard CMOS technology. Keywords: Operational amplifier,constant- , rail-to-rail, DC level shifter
مدارهای مجتمع روز به روز به سوی کوچکتر شدن پیش می روند و با کوچک شدن ابعاد، ناگزیر از منبع ولتاژ بامقادیر پایین تر استفاده می شود. استفاده از منبع ولتاژ بامقادیر پایین تر، به معنی داشتن بیشینهمحدوده ولتاژ پایین تر براینوسان در ورودی و خروجی می باشد. از طرفیقسمتی از این محدوده ولتاژ صرف بایاس مدارها می شود،که در ولتاژهای پایین، درصد بالایی از کل محدوده ولتاژ قابل دسترس را شامل می شود. از این رو طراحی مدارهایی که به ازای تمام محدوده ولتاژ موجود کارایی مناسبی داشته باشند، اجتناب ناپذیر می باشد. یکی از مهم ترین و پرکاربرد ترین بلوک ها در الکترونیک آنالوگ تقویت‌کننده عملیاتی است که طراحی آن به صورتی که به ازای تمام محدوده ولتاژ وجه مشترک ورودی، بهره ییکسانی داشته باشد اهمیت بالایی دارد. در این پایان نامه سعی شده تا با معرفی روشی کارآمد بتوان تغییرات هدایت انتقالی و در نتیجه ی آن تغییرات بیشتر پارامترهای اصلی تقویت‌کننده عملیاتی را با تغییر ولتاژ وجه مشترک ورودی تا حد چشمگیری کاهش داد. ضمن آنکه این تغییرات هدایت انتقالی نه تنها وابسته به ناحیه ی کاری زوج ورودی نیست، بلکه نسبت به تغییرات دما و پروسه هم مقاوم است. به این منظور، مدار ثابت نگهدارنده ی هدایت انتقالی با استفاده از تنها یک زوج NMOSورودی طراحی شده است. در این مدار از ایده ای مبتنی بر سوییچ نمودار هدایت انتقالی در ولتاژهای پایین بر روی نمودار با شیفت دهنده ی سطح DCاستفاده شده است. نتایج شبیه سازی انجام شده در تکنولوژیµm 0.18 نشان داد که تغییرات بهره ی انتقالی به 0.81% ±می رسد و با ورود زوج تفاضلی ورودی به ناحیه ی زیر آستانهنیز، این تغییرات از0.71%±بیشتر نمی شود. کلمات کلیدی: 1- تقویت‌کننده عملیاتی2-هدایت انتقالی ثابت 3-تمام محدوده 4-شیفت دهنده ولتاژ DC

ارتقاء امنیت وب با وف بومی