Skip to main content
SUPERVISOR
Ahmad Saatchi,Mohmmad ali Golozar,Kaivan Raissi
احمد ساعت چی (استاد راهنما) محمدعلی گلعذار (استاد راهنما) کیوان رئیسی (استاد مشاور)
 
STUDENT
Arash Fattah alhosseini
آرش فتاح الحسینی

FACULTY - DEPARTMENT

دانشکده مهندسی مواد
DEGREE
Doctor of Philosophy (PhD)
YEAR
1383
The passivity of AISI 316L stainless steel in 0.05M H 2 SO 4 , in the steady-state condition, has been explored using various electrochemical techniques, including potentiostatic polarization, electrochemical impedance spectroscopy (EIS), and Mott–Schottky analysis. Based on the Mott–Schottky analysis in conjunction with the point defect model (PDM), it was shown that the calculated donor density decreases exponentially with increasing passive film formation potential. The thickness of the barrier layer was increased linearly with the film formation potential. These observations were consistent with the predictions of the PDM, noting that the point defects within the barrier layer of the passive film are metal interstitials, oxygen vacancies, or both. Also no evidence for p-type behavior was obtained, indicating that cation vacancies do not have any significant population density in the passive film. Keywords: PDM; Passive Film; EIS; Formation Potential; Stainless Steel.
در این تحقیق خواص لایه رویین و لایه رویین گذرا تشکیل شده بر روی فولاد زنگ نزن L316 AISI در محلول M05/0 اسید سولفوریک در پتانسیل های مختلف بررسی شد. برای تشکیل لایه رویین در بازه پتانسیلی 2/0- تا V SCE 8/0، فاصله ها V 1/0 و برای تشکیل لایه رویین گذرا در بازه پتانسیلی 85/0 تا V SCE 1/1، فاصله ها V 05/0 انتخاب و نمونه ها در پتانسیل های تشکیل مربوطه به مدت 60 دقیقه نگه داری شدند. در منطقه رویین در محدوده ی پتانسیل 2/0- تا V SCE 5/0، رشد لایه رویین باعث کاهش چگالی جریان و افزایش مقاومت پلاریزاسیون شد. در حالی که در پتانسیل بالاتر، اکسیداسیون کاتیون کروم سه ظرفیتی به کاتیون کروم شش ظرفیتی و افزایش نرخ انحلال Cr 2 O 3 به عنوان لایه محافظ علت کاهش مقاومت پلاریزاسیون و افزایش چگالی جریان بود. لایه رویین تشکیل شده تا پتانسیل V SCE 6/0 به علت غلظت بیش تر دهنده های الکترونی نسبت به گیرنده های الکترونی رفتار نیمه هادی نوع n-را نشان داد. در پتانسیل های بالاتر به علت افزایش انحلال کاتیون های آهن و کروم که منتج به افزایش غلظت جاهای خالی کاتیونی می شود و هم چنین کاهش غلظت بین نشین های کاتیونی، رفتار نیمه هادی لایه رویین به نوع p- تبدیل شد. با افزایش پتانسیل تشکیل لایه رویین تا V SCE 6/0، مقادیر چگالی دهنده های الکترونی به طور توانی کاهش و ضخامت لایه رویین به طور خطی افزایش یافت که مطابق با پیش بینی های مدل عیوب نقطه ای است. این امر منجر به افزایش مقاومت و کاهش ادمیتانس لایه رویین شد. هم چنین مقدار ضریب نفوذ دهنده های الکترونی در لایه رویینcm 2 /s 17- 10 × 516/2 به دست آمد. بر اساس منحنی های نایکویست در محدوده ی پتانسیلی 85/0 تا V SCE 95/0، در فرکانس های بالا یک حلقه خازنی و در فرکانس های کم یک حلقه القایی مشاهده شد. حلقه خازنی در فرکانس های بالا نشان دهنده انتقال عیوب نقطه ای توسط میدان با قدرت بالا در لایه رویین گذرا و حلقه القا به واسطه رفتار آرامش بار منفی سطحی تشکیل شده توسط تجمع جاهای خالی کاتیونی در فصل مشترک لایه رویین گذرا / محلول بود. این در حالی است که در محدوده پتانسیلی 0/1 تا V SCE 1/1، علاوه بر دو جلقه فوق یک رفتار خازنی در فرکانس های کم نیز مشاهده شد که ناشی از آزاد شدن اکسیژن بر روی سطح بود. در ناحیه رویین گذرا، افزایش پتانسیل تشکیل لایه منتج به کاهش هم زمان مقاومت بار منفی سطحی، مقاومت در برابر مهاجرت عیوب و القای مربوط به جذب گونه های الکتروشیمیایی شد که مطابق با پیش بینی های مدل عیوب نقطه ای است

ارتقاء امنیت وب با وف بومی