Skip to main content
SUPERVISOR
Hadi Akbar zadeh,Ali akbar Babaeibrojeny
هادی اکبرزاده (استاد مشاور) علی اکبر بابائی بروجنی (استاد راهنما)
 
STUDENT
Mahdi Sohrabi
مهدی سهرابی

FACULTY - DEPARTMENT

دانشکده فیزیک
DEGREE
Master of Science (MSc)
YEAR
1384

TITLE

Magnetic Susceptibility of a Current - Carrying Superconductor Disk in Perpendicular Magnetic Field
In this thesis the magnetic properties of a type- II Superconducting disk which carries a radial traort current and is in a periodic magnetic field has been investigated. The field is applied perpendicular to the surface of disk. For this study, the critical state model (CSM) Bean, Kim and exponential are used. In Bean model where critical current density is assumed to be independent of local field, the magnetization, magnetic hysterics loops and ac susceptibility have been investigated. The results of Bean model shows that the magnetic flux will penetrate in all parts of the disk, when the thin superconductor disk in the absence of a radial traort current is subjected to the strong magnetic field perpendicular to the surface of disk. When the applied field is turned off and radial traort current fed simultaneously into the disk, the vortices are expelled from the disk and disk's central region becomes resistive. On the other hand, an increase in magnetic field, applied perpendicularly surface of disk at initially with no vortices caused the penetration of vortices into the disk. Vortices penetrates until the Lorentz force equals the pinning force. A further increase in the applied magnetic field, causes the vortices to be pushed into the disk. Namely the vortices are driven suddenly towards the center of the disk. At the end of second stage where is a temporary stage, disk's central region becomes resistive. Gradually increasing the magnetic field leads to a condensation of the vortex lattice. In addition to the Bean model the magnetic properties of a superconductor has been investigated using Kim and exponential models. The main difference between results of Kim and exponential and results of Bean model is the number of stages of flux penetration into the disk. Our calculations show that flux penetration into the disk can occur in three stages or one.
در این پایان نامه خواص مغناطیسی یک قرص ابررسانای نوع دوم حامل جریان انتقالی شعاعی ، واقع در میدان مغناطیسی متناوب عمود بر سطح آن مورد بررسی قرار گرفته است. برای این مطالعه، مدل حالت بحرانی (CSM) ابزار مورد استفاده ما بوده است. مدل هایی که در این پایان نامه مورد استفاده قرار گرفته ، مدل Bean ، Kim و مدل نمایی بوده است.در مدل Bean که چگالی جریان بحرانی مستقل از میدان موضعی فرض می شود مغناطش ، حلقه های پسماند مغناطیسی و پذیرفتاری مختلط ac مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات ما در مدل Bean نشان می دهند که: هنگامی که قرص نازک ابررسانای فاقد جریان انتقالی شعاعی در میدان مغناطیسی قوی عمود بر سطح آن قرار بگیرد، شار میدان مغناطیسی به همه قسمت های قرص نفوذ می کند، آنگاه با حذف میدان اعمالی و همزمان با آن تزریق جریان انتقالی شعاعی باعث خروج بخشی از گردابه های شار درون قرص و مقاومتی شدن ناحیه مرکزی قرص می شود. از سوی دیگر چنانچه به قرص حامل جریان انتقالی که هیچ گردابه ای در ابتدا درون آن نیست، یک میدان مغناطیسی عمود برسطحش اعمال شود، گردابه ها با افزایش تدریجی میدان مغناطیسی اعمالی به درون قرص نفوذ می کنند. گردابه ها تا جایی پیش می روند که نیروی لورنتسی با نیروی میخ کوبی یکی می شود . با افزایش بیشتر میدان مغناطیسی اعمالی گردابه ها به شعاعی می رسند که نیروی لورنتسی از نیروی میخ کوبی بیشتر می شود. این امر باعث می شود گردابه ها به صورت ناگهانی به سمت مرکز قرص هجوم ببرند، پس از اتمام مرحله به اصطلاح مرحله دوم که مرحله ای گذراست مرکز قرص مقاومتی می شود. از این پس با افزایش میدان مغناطیسی اعمالی تراکم شبکه گردابه ها بیشتر می شود.علاوه بر مدل یاد شده خواص مغناطیسی یک ابررسانا با استفاده از مدل های Kim و نمایی نیز مورد بررسی قرارگرفته است.مهمترین اختلاف مدل های Kim و نمایی با نتایج حاصل از به کار گیری مدل Bean در تعداد مراحل نفوذ شار به درون قرص است. محاسبات ما نشان می دهند که نفوذ شار به درون قرص می تواند در سه مرحله و یا در یک مرحله صورت بگیرد.

ارتقاء امنیت وب با وف بومی