Skip to main content
SUPERVISOR
Hossien Ahmadvand,Parviz Kameli
حسین احمدوند (استاد مشاور) پرویز کاملی (استاد راهنما)
 
STUDENT
Zahra Shahzamani
زهرا شاه زمانی ورنوسفادرانی

FACULTY - DEPARTMENT

دانشکده فیزیک
DEGREE
Master of Science (MSc)
YEAR
1396

TITLE

Study of structural, electrical and magnetoresistance properties of La0.4Pr0.3Ca0.3MnO3 thin films
In this thesis, structural, electrical and magnetoresistance properties of La 0.4 Pr 0.3 Ca 0.3 MnO 3 thin films have been studied.Thin films LPCMO are grown on LaAlO 3 (LAO)(111), SrTiO 3 (STO)(111), STO(110) and MgO (MGO)(100) substrates by pulsed laser deposition method . The effect of substrate type and films thickness on the structural and electrical properties of LPCMO thin films was considered during the deposition process. Thickness of thin films was determined by XRR method. Due to high compressive stress, the LPCMO sample on the LAO substrate with a thickness of 50 nm has high insulation behavior while it has a metal-insulation transition at 90 nm. The magnetoresistance of LPCMO/LAO film was 57%. The MGO substrate was used as a new substrate to investigate the effects of thickness on the electrical properties of thin films. The results showed that as the thickness decreased, the antiferromagnetic order of the insulator-charge is increased and the permeation between the metal ferromagnetic domains decreased. It was also observed at 50 nm thickness and at low transition temperatures of insulation-metal due to the coexistence of two phases of antiferromagnetic insulation and metallic ferromagnetism. The maximum anisotropic magnetoresistance (80%) was obtained in the LPCMO/MGO sample compared to LPCMO/LAO sample (32%). LPCMO / STO (110) sample had small different resistance in both directions of [1 0] and [001]. The effect of annealing on this sample resulted in anisotropic stress so that after annealing there was a significiant difference resistance between the two directions. After annealing, the sample showed good magnetoresistance (about 100%) and the anisotropic magnetoresistance decreased.
در این پایان نامه ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مغناطومقاومت لایه های نازک مورد بررسی قرار گرفته است. لایه های نازک LPCMO با استفاده از روش لیزر پالسی (PLD) بر روی زیرلایه های LaAl ، SrTi ، STO و MgO لایه نشانی شده اند. در طی فرآیند لایه نشانی اثر نوع زیرلایه و ضخامت لایه بر ویژگی های ساختاری و الکتریکی لایه های نازک LPCMO مد نظر قرار گرفت. در ضخامت سنجی لایه های نازک به روش XRR لایه ها در دو ضخامت 50 و 90 نانومتر تهیه شدند. نمونه ی LPCMO بر روی زیرلایه ی LAO با ضخامت 50 نانومتر به علت تنش تراکمی زیاد رفتار عایق گونه دارد در حالی که با ضخامت 90 نانومتر دارای گذار عایق- فلز است. مقدار مغناطومقاومت در لایه های LPCMO/LAO، 57 درصد به دست آمد. از زیرلایه ی MGO برای بررسی اثرات ضخامت یر روی خصوصیات الکتریکی لایه ها استفاده شد. نتایج نشان داد که با کاهش ضخامت، نظم پادفرومغناطیس عایق- بار افزایش یافته و تراوش بین حوزه های فرومغناطیس فلزی کمتر می شود. مقدار مغناطومقاومت ناهمسانگرد بیشینه در نمونه های LPCMO/MGO (80 درصد) بزرگ تر نسبت به نمونه های تحت تنش تراکمی LPCMO/LAO (32 درصد) به دست آمد. نمونه ی LPCMO/STO(110) تنش ناهمسانگرد کمی در دو جهت [1 و [001] بود که منجر به اختلاف مقاومت کمی در این دو جهت شد. اثر بازپخت روی این نمونه منجر به افزایش تنش ناهمسانگرد شد به طوری که بعد از بازپخت اختلاف زیادی بین مقاومت این دو جهت مشاهده شد. بعد از بازپخت نمونه مغناطومقاومت خوبی(حدود 100 درصد) از خود نشان داد. بعد از بازپخت مغناطومقاومت ناهمسانگرد کاهش یافت.

ارتقاء امنیت وب با وف بومی