Skip to main content
Seyed Javad Hashemifar,Hadi Akbar zadeh
سید جواد هاشمی فر (استاد مشاور) هادی اکبرزاده (استاد راهنما)
Nahid Ghaderi Jouybari
ناهید قادری جویباری


دانشکده فیزیک
Doctor of Philosophy (PhD)


Ab-initio study of semiconductor-based nanostructures:from heterostructures for spintronics to nanowires
We have investigated the structural, electronic and magnetic properties of some prototypical examples of GaAs-based nanostructures. We focus on two kashida; TEXT-ALIGN: justify; TEXT-KASHIDA: 0%; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; unicode-bidi: embed; DIRECTION: ltr; mso-layout-grid-align: none" The motivation for the choice of GaAs originates from the fact that the GaAs-based technology is nowadays well established and large effort is devoted to the design of GaAs-based modern electronic devices. In this thesis we focus on the computational and theoretical modeling of GaAs-based nanostructures. Engineering complex materials and devices down to the nano-scale strongly requires an atomic-scale investigation of their properties. The contribution of computational/theoretical studies is nowadays essential to their understanding, thanks to predictive power of state-of-the-art modelling techniques. Ab initio electronic structure calculations are employed since the quantum mechanical behaviour of the electrons is explicitly relevant in these structures. The PWscf (Plane-Wave Self-Consistent Field) computer code for electronic-structure calculations within Density-Functional Theory, developed and maintained by a research team mainly from the Scuola Internazionale Superiore di Studi Avanzati and the DEMOCRITOS National Simulation Center in Trieste (Italy) has been used for the research presented here. Massively parallel super-computers have been used since the systems studied are computationally demanding in terms of CPU time and memory usage.
در این پایان نامه خواص ساختارى الکترونى ومغناطیسى برخى نانوساختارهاى نیم رساناى GaAs براساس اصول اول?ه کوانتومى وبااستفاده ازبسته محاسباتى PWscf بررسى شده است. دربخش اول ? خواص الکترونى ومغناط?سى ? مرزمشترک Co 2 MnSi/GaAs(001) با هدف ?افتن سطوحى که خاص?ت ن?م فلزى آل?اژ هو?سلر Co 2 MnSi درآن حفظ شود ? بررسى شده است. مطالعات ما نشان مى دهد که سطح مشترک SiMn/As درب?ن انواع مختلف سطوح (001) ازهمه پا?دارتراست. الگو?ى که قطبش اسپ?نى به طورکامل درا?ن سطح مشترک حفظ مى شود? معرفى شده است. بخش دوم به مطالعه خواص ساختارى و الکترونى نانوس?م هاى GaAs دردوحالت خالص ودرحضورناخالصى iS اختصاص دارد. درا?ن تحق?ق نشان داد?م که تا قطر50 آنگستروم ساختار WZ ازساختار Z پا?دارتراست. مطالعات ما نشان مى دهد که Si بخشنده عمدتا درسطح و iS پذ?رنده درمکانهاى داخلى ترکه تقر?با ماه?ت انبوهه دارند ? تجمع مى کنند. همچن?ن نشان داد?م که ناخالصى iS درنانوس?م GaAs رفتاردوخصلتى (نوع n ?ا p) دارد. باا?ن وجود حضورپ?وندهاى آو?زان درسطح نانوس?م نقش تله را براى حاملهاى بارا?فا کرده و امکان داشتن رفتار نوع n رادرتجربه ضع?ف مى کند. کلمات کل?دى: نانوساختار? محصورشدگى کوانتومى ? ساختارناهمسان ? اسپ?نترون?ک ? نانوس?م

ارتقاء امنیت وب با وف بومی