Skip to main content
SUPERVISOR
Sayed Reza Motahari Bedkoli,Hossein Farzanehfard,Said Sadri
سیدرضا مطهری بیدگلی (استاد مشاور) حسین فرزانه فرد (استاد راهنما) سعید صدری (استاد راهنما)
 
STUDENT
Sedigheh Ahmadi Aliabadi
صدیقه احمدی علی آبادی

FACULTY - DEPARTMENT

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
DEGREE
Master of Science (MSc)
YEAR
1384
Nowadays, solid-state radio transmitters(SSRT) are as common as tube transmitters. SSRTs are even superior to tube transmitters in some applications because of special specifications like lower noise, lower DC voltage supply and easier maintenance and repairing requirements. One of the significant parts of radio transmitters is RF power amplifier. There are several parameters in RF power amplifiers which depending on the application, contribute more to the amplifier performance. One of these parameters is amplifier bandwidth. Providing wider bandwidth in solid-state transmitters is very important since it improves the received data resolution. Two important applications of VHF wideband radars are search radars and synthetic aperture radars employed to recognize unknown targets. The purpose of this work is to design a power amplifier with at least 200Watts output power over frequency range from 100MHz to 300MHz. After a comprehensive literature review on different dir=ltr To determine the circuit performance of the amplifier design, “Harmonic-Balance” simulation with nonlinear model of the transistor is incorporated. Harmonic Balance simulation provides the possibility of verifying bias circuit effect on matching network and amplifier output power. Such analysis makes the simulation results more reliable. At last the amplifier is verified for large signal and small signal stability to ensure that no spurious oscillation is accrued in the amplifier.
امروزه استفاده از فرستنده های رادیویی نیمه هادی نیز همانند فرستنده های لامپی متداول بوده و حتی به دلیل برخی ویژگی های خاص مانند نویز کمتر، استفاده از منابع تغذیه با ولتاژ پایین تر و قابلیت نگهداری و تعمیر پذیری ساده تر در کاربردهای خاص، نسبت به فرستندههای لامپی ارجعیت دارند. یکی از اجزای اصلی فرستنده های رادیویی نیمه هادی، تقویت کننده های قدرت RF می باشند. پارامترهای مختلفی در تقویت کننده های قدرت RF وجود دارند که هر یک بسته به کاربرد تقویت کننده می تواند اهمیت بیشتری پیدا کند. یکی از این پارامترها پهنای باند تقویت کننده است. داشتن پهنای باند وسیع در فرستنده های RF نیمه هادی از اهمیت خاصی برخوردار است زیرا باعث افزایش وضوح اطلاعات دریافتی می شود. از کاربردهای مهم رادارهای باند VHF که پهنای باند وسیع دارند می توان به رادارهای جستجو و رادارهای دهانه ترکیبی ای که برای یافتن هدف های ناشناس استفاده می شوند اشاره کرد. هدف از این پایان نامه طراحی یک تقویت کننده قدرت با حداقل توان 200 وات و محدوده فرکانسی 100MHz تا 300MHz می باشد. پس از مطالعات لازم در زمینه کلاس ها و ساختارهای مختلف تقویت کننده های توان RF و همچنین تکنولوژی های ساخت متداول در این تقویت کننده ها، ترانزیستور VDMOS با ساختار پوش پول و کلاس کاری AB انتخاب شده است. از آنجا که یکی از مهمترین بخش های تقویت کننده شبکه تطبیق آن است، پس از بررسیهای انجام شده شبکه تطبیق با ساختار ترانسفورمری انتخاب شده است. چنین ساختاری امکان پهنایباند بالا را در شبکه تطبیق فراهم میکند. از مشکلات دیگری که در این طرح برای حل آن تلاش شده است، جبران شیب بهره ترانزیستور در طیف فرکانسی میباشد. از میان روش های مختلف بررسی شده، تکنیک افزودن عنصر تلفاتی و به طور همزمان کنترل VSWR انتخاب شده است. در این شرایط حداقل توان خروجی 200 وات با ریپل کمتر از 1.5dB در کل باند فرکانسی به دست آمده است. در طراحی تقویت کننده، برای شبیه سازی عملکرد مدار از شبیه سازی هارمونیک بالانس به همراه مدل غیرخطی ترانزیستور استفاده شده است. در این شبیه سازی امکان بررسی تاثیر مدار بایاس روی شبکه تطبیق و رفتار توانی تقویت کننده فراهم می شود. شبیه سازی هارمونیک بالانس باعث معتبرتر شدن نتایج شبیه سازی می شود. در نهایت تقویت کننده از جهت پایداری سیگنال بزرگ و سیگنال کوچک بررسی شده و از عدم بروز نوسان در طرح اطمینان حاصل شده است.

ارتقاء امنیت وب با وف بومی

100%